10.3321/j.issn:1004-0609.2007.08.014
中频磁控溅射沉积梯度过渡Cr/CrN/CrNC/CrC膜的附着性能
采用中频磁控溅射结合无灯丝离子源技术沉积梯度Cr/CrN/CrNC/CrC膜层,设计两组正交实验对膜层中界面Cr层及梯度层沉积的工艺参数对附着性能的影响进行研究.利用扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)对其表面形貌及梯度成分进行表征;用划痕仪、显微硬度计及洛氏硬度计测评其附着性能,并对比两者测评的有效性.所得最优工艺参数为:梯度层沉积偏压100 V,中频功率6.5 kW,真空度0.6 Pa;Cr层的沉积时间、离子源电流及中频功率分别为2 min、4 A和6.5 kW.高中频功率及离子辅助沉积Cr层能有效提高膜层附着力.
CrC、中频磁控溅射、离子源、附着力
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TG174.444;TB43(金属学与热处理)
科技部资助项目国科发财字[2005]300号
2007-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1307-1312