10.3321/j.issn:1004-0609.2007.05.012
1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质
经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1~10 μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上.在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5~1.525 μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109μW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象.该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景.
InGaAsP、微盘激光器、多模光纤、光学泵浦、集成光路
17
TN248.4(光电子技术、激光技术)
爱尔兰企业署资助项目SC/98/750
2007-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
732-736