MoSi2价电子结构分析及结合能计算

摘要：

根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合.由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si-Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04.MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性.MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.

关键词：二硅化钼、价电子、结合能、脆性

所属期刊栏目：17

分类号：TG148(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50472078;高等学校博士学科点专项科研项目20040533006

在线出版日期：2007-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：216-221