10.3321/j.issn:1004-0609.2006.11.020
选择性激光烧结碳化硅及铝合金氧化入渗
采用选择性激光烧结和金属直接氧化法相结合的技术,制备SiC-Al2O3-Al陶瓷基复合材料零件.研究选择性激光烧结成形碳化硅零件坯体的工艺和脱脂预处理工艺对坯体孔隙率的影响规律,以及氧化入渗工艺影响因素;采用扫描电镜、X射线衍射仪分别对成形好的复合材料进行微观形貌和物相分析.结果表明:用选择性激光烧结和金属直接氧化技术相结合的工艺可以直接利用三维图形,快速成形出复杂形状的SiC-Al2O3-Al复合材料零件;其陶瓷相和金属相都呈三维网络状分布,SiC、Al2O3和金属相的体积分数分别为45.1%、32.7%和18.0%,孔隙率为4.2%,抗弯强度为361.2 MPa.
选择性激光烧结、金属直接氧化、SiC-Al2O3-Al、陶瓷基复合材料
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TB333(工程材料学)
湖北省自然科学基金2004ABC001;国家重点实验室基金200506123102A
2007-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1950-1954