AlSiC电子封装基片的制备与性能

摘要：

采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术,成功制备出AlSiC电子封装基片.研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律,并对所制备的AlSiC电子封装基片的性能进行评价.结果表明,在磷酸铝含量为0.8%,成形压力为200 MPa时,经600 ℃恒温2 h处理的SiC预制件抗弯强度为8.46 MPa,孔隙率为37%.当温度为100～500℃时,AlSiC电子封装基片的热膨胀系数介于6.88×10-6和8.14×10-6℃-1之间,热导率为170 W/(m·K),抗弯强度为398 MPa,气密性小于1×10-8Pa·m3/s.用钯盐活化进行化学镀镍,得到光亮、完整的镀层.镀层于450 ℃恒温120 s后,镀层不变色,未见起皮和鼓泡.

关键词：AlSiC电子封装基片、气密性、真空压力浸渗、化学镀镍

所属期刊栏目：16

分类号：TG146(金属学与热处理)

在线出版日期：2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1913-1917