10.3321/j.issn:1004-0609.2006.06.022
纳米CeO2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能
在醇-水体系中以HMT为缓释沉淀剂制备了纳米CeO2粉体,并用TEM、SAD、XRD对其进行了表征,将制备的不同粒径纳米CeO2粉体配制成抛光液,对GaAs晶片进行了化学机械抛光.研究了醇的引入及煅烧温度对粉体性能的影响,并就纳米CeO2磨料尺寸对GaAs晶片抛光后表面粗糙度的影响机理进行了探讨.结果表明:醇水体系中制备的纳米CeO2颗粒较水溶液中制备的颗粒粒径小,且分散性好;随着煅烧温度的升高,颗粒逐渐增大,不同尺寸的纳米颗粒具有不同的抛光效果;随着磨料粒径的增大,表面粗糙度值也随之升高.
纳米CeO2、GaAs、醇水法、抛光
16
TG146;TG356.28(金属学与热处理)
国家自然科学基金BK2002010;江苏省高技术研究发展计划项目BG2004022
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1064-1069