10.3321/j.issn:1004-0609.2006.06.010
类金刚石薄膜的电子结构及光学性质
以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用俄歇电子能谱(AES)分析薄膜的化学键和电子结构.将参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制备的薄膜的sp2键的百分含量和sp2键与sp3键比率.采用紫外-可见光透射光谱(UV-Vis)分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙.结果表明:沉积气压低于0.8 Pa时,sp2键的百分含量随沉积气压的增大而减小;薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响.
类金刚石薄膜、光学性质、电子结构、俄歇电子能谱
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O484.41(固体物理学)
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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989-993