Al置换Si对CoSi电子结构及传输性能的影响

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法计算CoSi的电子结构及Si侧Al置换掺杂的CoSi0.875Al0.125的电子结构并分析两者的电子结构特征.结果表明:CoSi为典型的半金属化合物,在费米面处价带和导带存在部分重叠且在费米面处电子能态密度值比较低,因此其导电性能相对金属的导电性能稍微差一些;在理论计算的基础上,选择制备CoSi和CoSi0.88Al0.12两种单晶并测试了两种单晶在300～1 000 K之间的塞贝克系数、电阻率及300～480K之间的热导率.随着温度的升高,CoSi的塞贝克系数变化不大,而CoSi0.88-Al0.12的塞贝克系数呈降低的趋势,且存在一由正向负的转变温度,随着温度的升高,CoSi和CoSi0.88Al0.12的电阻率都增大,CoSi的热导率逐渐下降,而CoSi0.88Al0.12的热导率先下降然后上升.

关键词：热电材料、电子结构、Al掺杂、传输性能

所属期刊栏目：16

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：上海市应用材料研究与发展基金0317;中国科学院资助项目50131030

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：54-58