斜离子束辅助沉积对Co80Nb20薄膜结构及磁性能的影响

摘要：

采用斜离子束辅助沉积(IBAD)方法制备了Co80Nb20合金薄膜,研究了离子束入射角度对薄膜结构、组织及磁性能的影响.结果表明:当离子束入射角度小于30°时形成fcc亚稳合金薄膜,入射角增大到30°后转变为hcp固溶体;Co80Nb20薄膜均表现出平面易磁化特征,在入射角小于75°时Co80Nb20薄膜矫顽力较小;当离子束入射角度增大到75°后,薄膜在平行膜面方向矫顽力明显增大,而垂直膜面方向矫顽力减小.从理论上讨论了离子束入射角度对原子混合、热峰效应、薄膜内应力及亚稳结构形成的影响.

关键词：钴、铌、离子束辅助沉积、入射角

所属期刊栏目：15

分类号：TN65(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金50325105,50371040,10405013

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1827-1832