10.3321/j.issn:1004-0609.2005.04.012
温度对CVD-TaC涂层组成、形貌与结构的影响
利用TaCl5-C3H6-H2-Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)成功地在C/C复合材料表面沉积TaC涂层及C-TaC复合涂层.研究了温度对TaC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD-TaC涂层的沉积机理.结果表明:在1373~1673 K温度范围内能够在C/C复合材料表面制备碳化钽涂层,它由TaC和游离碳组成.提高沉积温度和H2/C3H6的流量比,TaC涂层中游离碳的含量减少;随着沉积温度的升高,TaC涂层的颗粒尺寸增大,均匀程度下降;在1 573 K时颗粒间出现明显的烧结界面,结构致密无裂纹.制备出成分波动的C-TaC复合涂层,该涂层与基体间具有良好的机械相容性.分析了低应力、无裂纹TaC复合涂层的形成机制.
TaC涂层、C-TaC复合涂层、化学气相沉积、相组成、涂层形貌、低应力涂层
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TQ050.4(一般性问题)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA305207;湖南省自然科学基金03JJY3073;湖北省教育厅科研项目D200525004
2005-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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