化学溶液法在Al2O3单晶(1102)面沉积生长(200)面择优取向的CeO2涂层的研究

摘要：

利用化学溶液沉积法在R面切割的Al2O3单晶基底上进行了沉积制备有(200)择优取向CeO2涂层的研究.以无机铈盐为前驱体,采用浸渍提拉法制备溶液涂层,然后采用在空气中加热处理的方法,得到CeO2涂层,并利用X射线衍射、拉曼光谱等对CeO2涂层进行了表征.研究结果表明,影响CeO2涂层的织构形成的关键因素包括铈盐前驱体溶液的Ce3+浓度以及热处理制度.降低Ce3+浓度结合提高晶化热处理温度有利于涂层(200)择优取向的形成.基于织构形成的实验研究,提出了(200)织构的形成是一个热力学推动的过程,通过Ce2O3氧化成为CeO2,结合Al2O3基底的模板效应,形成(002)织构的CeO2:Ce2O3(002)+O2→CeO2(111)→CeO2(200)(优势取向).X射线衍射峰强-转化温度的阿伦尼乌斯分析得出CeO2(111)→CeO2(200)织构形成的活化能为37.6kJ/mol.

关键词：化学溶液法、氧化铈、涂层、织构

所属期刊栏目：14

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家科技攻关项目2002AA306218

在线出版日期：2005-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：488-491