与硅集成的La0.3Ca0.7MnO3-δ薄膜及其电脉冲诱发可变电阻效应

摘要：

研究了钙钛矿结构氧化物功能薄膜La0.3Ca0.7MnO3-δ(LCMO)在半导体硅衬底上的外延生长及其电脉冲诱发可变电阻(EPIR)效应.通过在半导体硅衬底与功能薄膜之间添加Ir/MgO双层缓冲层的方法,制备了全外延的LCMO/Ir/MgO/Si(001)的异质结构,其面外外延关系为:LCMO(001)//Ir(001)//MgO(001)//Si(001).X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明,LCMO薄膜具有良好的结晶性,其表面的平整度达到了Ra=1.47 nm.进一步电学性能研究表明,在Ag-LCMO-Ir三明治结构中,有着显著的电脉冲诱发可变电阻效应.分析认为这种电阻的变化与LCMO薄膜中靠近上下电极区的”等效畴”中的电荷占有状态有着密切的联系.

关键词：钙钛矿结构、硅衬底、电脉冲诱发可变电阻、氧化物功能薄膜

所属期刊栏目：14

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：中国科学院资助项目2002CB613306

在线出版日期：2005-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：485-487