10.3321/j.issn:1004-0609.2004.z3.050
碳纳米带的结构与生长机制研究
采用热化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带,并采用场发射SEM、TEM、激Raman光谱等分析手段对其形态和结构进行了研究.实验采用乙炔(C2H2)为碳源,铁为催化剂,获得了厚度在几十纳米、宽度在几百纳米,长度在100 μm量级的碳纳米带.研究发现:碳纳米带是一种准二维材料,其碳层沿着与其生长轴方向一致的(002)晶向向的排列,碳层的边缘都弯曲折叠成封闭结构.碳层的排列不很平直,其中存在大量的层错.对碳纳米带的生长机制的研究表明:碳纳米带的生长是通过碳原子从片层状催化剂侧面的扩散、析出来实现的.
热化学气相沉积、碳纳米带、显微结构、生长机制
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O6(化学)
中国科学院项目(非规范项目);北京市科学技术研究院萌芽计划
2005-02-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
217-220