Progress in 4H-SiC homoepitaxial growth by hot-wall LPCVD

机标关键词：homoepitaxial growth、chemical vapor deposition、blocking voltage、rocking curve、high quality、growth rate

所属期刊栏目：14

分类号：TF8(有色金属冶炼)

在线出版日期：2005-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：263-267