10.3321/j.issn:1004-0609.2004.z1.046
钽铌电子材料新进展
通过降低杂质含量、改善物理性能等新技术以及Ta2O5钠还原制取高比电容钽粉、TaCl5低温钠还原制取纳米级钽粉的新工艺方法,生产了性能优良的高比容钽粉,并研究了其微观结构;同时开发了制造高比电容铌粉、一氧化铌粉的新技术,制得了高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新类型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料.
高比电容钽粉、高比电容铌粉、一氧化铌粉、物理性能
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TF8(有色金属冶炼)
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共10页
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