10.3321/j.issn:1004-0609.2003.02.016
应变振幅对过共晶Al-Si-xLa合金室温阻尼行为的影响
研究了过共晶Al-Si-xLa合金在室温下不同频率的阻尼-应变振幅行为.Al-Si合金通过常规的铸造和喷射成形工艺制备,并采用动态热机械分析仪(DMTA)对其阻尼行为进行研究.结果表明: 大多数铸态以及喷射成形态过共晶Al-Si-xLa合金显示了类似的室温应变振幅-阻尼行为,即随振幅的增加,阻尼先不增大,然后明显升高出现阻尼峰,最后回落,此行为可以用G-L位错阻尼理论加以解释; 铸态下添加La对Al-17Si合金的阻尼行为影响不大,过量La(6%)添加明显降低阻尼性能,而La的添加明显提高喷射成形态Al-Si合金阻尼性能; Si含量高的铸态Al-25Si合金的阻尼比铸态Al-17Si合金的阻尼峰低,所需振幅大,而喷射成形态Al-Si合金的阻尼明显比相应铸态Al-Si合金的阻尼高.
Al-Si合金、镧、阻尼、振幅、喷射成形、位错、热错配
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TG146(金属学与热处理)
国家重点基础研究发展计划973计划G1999906490
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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360-366