ZrO2基陶瓷的t-m马氏体相变异相界面电子结构

摘要：

分析了ZrO2的两种晶体结构(正方与单斜)中的共价键络, 并根据"固体与分子经验电子理论", 在一级近似下计算出了ZrO2陶瓷中t-m马氏体相变后存在位相关系(100)m∥(110)t界面的价电子密度.计算结果表明, t-ZrO2中(110)t晶面上的平均价电子密度为0.003 720 nm-2, m-ZrO2中(100)m晶面上的平均价电子密度为0.003 617 nm-2, 两者相差仅2.77%, 可见ZrO2的马氏体相变后m-ZrO2与t-ZrO2的相界面上的平均价电子密度是连续的, 表明余氏理论和程氏理论对无机非金属材料也是适用的.

关键词：ZrO2、陶瓷、界面、相变、电子密度

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分类号：TF123.7(冶金技术)

资助基金：国家自然科学基金50242008;高等学校博士学科点专项科研项目20020422001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：111-115