氮元素对Cr-Si-Al电阻薄膜晶化行为及电性能的影响

摘要：

研究了Cr-Si-Al 和 Cr-Si-Al-N两种薄膜的微观结构及电性能. 结果表明: 溅射态非晶Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N薄膜在加热到700 ℃的过程中, 将析出两种晶化相, 即Cr(Al, Si)2和Si微晶相; 氮元素加至Cr-Si-Al非晶膜中, 将阻碍其中晶化相的形核与长大; 与Cr-Si-Al薄膜相比, Cr-Si-Al-N薄膜欲获得较小电阻温度系数(TCR)需要更高的退火温度; Cr-Si-Al-N电阻膜具有更高的电学稳定性.

关键词：电阻薄膜、晶化、氮、电学稳定性

所属期刊栏目：12

分类号：TG132.2(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50131030

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：668-672