10.3321/j.issn:1004-0609.2002.03.038
In2O3还原挥发的热力学计算
在In-C-O体系中存在C(graphite), CO(g), C O 2(g), O2(g), In(l), In(g), In2O(g)和In2O3(s)等物种, 反应体系的独立反应数为5. 用Mathematica程序求得部分反应的Δ G , 热力学计算得到773~2 0 00 K各气相分压与温度的关系, In2O3还原挥发的最低温度是1 030 K, 当 T > 974 K时, In2O3更容易被C还原, 还原为In比还原为In2O容易. 结果表明: In2O3还原挥发物的主要成分是In(g)和In2O(g), 当773 K< T <1 529 K时, p In> p In2O; 升高温度对氧化铟的还原挥发有利, p O2对 p eff的影响并不显著.
氧化铟、碳、还原挥发、热力学
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O64(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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