10.3321/j.issn:1004-0609.2002.03.018
氢氧化镍电极材料的层错结构表征
根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性, 提出层错结构表征方法. 采用层错宽化效应的Warren法和Lan gford谱分解法, 测算了一些镍电极材料的层错率. 结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系, 放电容量较高(270 mA*h/g)的材料层错率达14.9%, 而放电容量较低(207 mA*h/g)的材料层错率为7.6%.因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能.
氢氧化镍、电极材料、层错率、放电容量
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TF803.24;TB383(有色金属冶炼)
国家自然科学基金598720 06
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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496-500