氢氧化镍电极材料的层错结构表征
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1004-0609.2002.03.018

氢氧化镍电极材料的层错结构表征

引用
根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性, 提出层错结构表征方法. 采用层错宽化效应的Warren法和Lan gford谱分解法, 测算了一些镍电极材料的层错率. 结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系, 放电容量较高(270 mA*h/g)的材料层错率达14.9%, 而放电容量较低(207 mA*h/g)的材料层错率为7.6%.因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能.

氢氧化镍、电极材料、层错率、放电容量

12

TF803.24;TB383(有色金属冶炼)

国家自然科学基金598720 06

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

496-500

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

中国有色金属学报

1004-0609

43-1238/TG

12

2002,12(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn