浸渍/挤压(SiCw+B4Cp)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征

摘要：

用透射电子显微术研究了(SiCw+B4Cp)/Mg( AZ91)复合材料的界面特征. 结果表明: B4Cp/Mg界面区反应生成物混乱, 而在SiCw/Mg界面区较为规则. SiCw/Mg界面生成了两种反应物, 其中MgO与SiC具有180°旋转孪晶关系, 孪晶面为{111}SiC, MgO, 而MgB2一般以SiC 表面一薄层MgO为基底生长成较大且完整的晶形, MgB2与MgO之间的晶体学取向关系为:( (-)111 )MgO∥(0001(-))MgB2, [110]MgO∥[11(-)20]MgB2. 高分辨观察结合计算机模拟确定了MgO/MgB2界面有两种原子占位方式, 一种为界面处有两层Mg原子分别属于两相, 另一种为界面处只有一层 M g原子为两相共享. 此外, 基体中第二相Mg17(Al, Zn)12和未知弥散小颗粒均与基体Mg非共格.

关键词：镁基复合材料、SiC晶须、B4C颗粒、界面结构

所属期刊栏目：12

分类号：TG333;O766(金属压力加工)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：284-289