苯并三氮唑和5羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较

摘要：

采用光电化学方法和交流阻抗方法对不同浓度的B TA(苯并三氮唑)和5CBTA(5- 羧基苯并三氮唑)在硼砂缓冲溶液(pH 9.2)中对铜电极的缓蚀性能作了比较研究. 研究发现两者对铜的缓蚀作用机理不同. 一定浓度的BTA能使电极表面Cu2O膜的结构改变, 在电位正向扫描过程中铜电极光响应由p型转化为n型, 并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能, n型光响应越大, 缓蚀剂的缓蚀性能越好; 而5CBTA能使电极表面的Cu2O膜增多, 在电位负向扫描过程中阴极光电流密度明显增大,并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能, 阴极光电流密度愈大, 缓蚀效果越好. 同时这两种缓蚀剂均可用φV和某一较负电位下的阴极光电流密度 Jph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能, φV和Jph越负, 缓蚀性能越好. 交流阻抗方法的结果和光电化学的结果相一致.

关键词：苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、铜电极、光 电化学、交流阻抗

所属期刊栏目：11

分类号：TG174.42(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金298760 08;上海市自然科学基金;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：925-929