工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的影响

摘要：

介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法， 研究了N2流量、 阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的影响规律。结果表明， 随N2流量的增加，AlN薄膜的质量得以提高，当N2流量达到30mLmin-1时，可合成较纯净的AlN薄膜； 阴极偏压主要影响合成薄膜的结晶状况；此外，基体材料本身及其表面状况也对合成薄膜的质量有一定影响。

关键词：阴极电弧源法、AlN薄膜、电子浴

所属期刊栏目：11

分类号：TG156.8(金属学与热处理)

资助基金：山西省青年基金981026

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：240-243