Ⅲ-V族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学

摘要：

建立Ⅲ-V族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型.该模型与实验材料InGaP/GaAs, InGaAs/InP 及已发表的GaAsP/GaAs, InAsP/InP 的数据吻合得很好.将晶格应变能ΔG及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数.热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素.讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型.

关键词：半导体材料、Ⅲ-V、族化合物、生长、热力学

所属期刊栏目：21

分类号：TN3;TQ1

资助基金：Projects 06YFJZJC01100, 08JCYBJC14800 supported by Applied Basic Study Foundation of Tianjin, China;Project 2006AA03Z413 supported by the Hi-tech Research and Development Program of China

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：146-151