氢离子敏场效应测量仪的设计
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10.3969/j.issn.1005-2852.2008.07.006

氢离子敏场效应测量仪的设计

引用
在分析氢离子敏场效应传感器(H+-ISFET)的结构特性与测量原理基础上,采用单片机技术,对传感器的信号进行了智能处理,主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除,对环境温度的影响进行补偿,由此可以提高氢离子检测的可靠性和测量精度.

氢离子敏场效应、传感器、检测仪器、智能信号处理

TU5;TV

国家自然科学基金资助项目项目编号60674110

2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

37-39

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中国仪器仪表

1005-2852

11-3359/TH

2008,(7)

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