极低频电磁场暴露对大鼠脑内C6胶质细胞瘤的影响

摘要：

目的通过建立荷瘤大鼠胶质瘤模型,探讨极低频电磁场暴露对大鼠脑内胶质细胞瘤的影响,为胶质瘤的实验性治疗提供理论依据.方法将1×106/ml的C6细胞悬液10μl注入大鼠颅内,建立大鼠胶质瘤动物模型,随机分成实验组、对照组各15只,3d后实验组每天于磁场中暴露3h,连续1周,对照组不暴露于磁场,每天不定时观察大鼠精神、神经功能(偏瘫情况)、存活期以及对死亡大鼠的尸体解剖病理切片进行分析.结果对照组接种肿瘤后16-27d全部死亡,平均存活22d,实验组接种肿瘤后21-33d全部死亡,平均存活26d,组间有显著差异(P<0.05),两组死亡大鼠解剖均发现颅内肿瘤生长明显,但病理切片并未能证实两组胶质瘤有形态学差异.结论极低频电磁场暴露可以延长荷瘤大鼠生存时间,但是并不能治愈胶质细胞瘤,提示低强度的极低频电磁场短时间的暴露对胶质瘤患者是无毒性也无治疗作用的,而长时间低强度的极低频电磁场暴露可能对胶质瘤患者有治疗作用.

关键词：C6、胶质瘤细胞、极低频、电磁场、模型

分类号：R730.5(肿瘤学)

在线出版日期：2012-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：10-12