注意缺陷多动儿童不同注意状态下事件相关电位的比较研究

摘要：

目的探讨注意缺陷多动障碍(attention deficit hyperactivity disorder,ADHD)儿童和正常儿童在主动和被动注意状态下,事件相关电位N1、P2、N2、P3各波的异同.方法采用病例对照方法,对30例ADHD儿童和30例正常儿童,分别在被动和主动注意状态下进行经典的听觉Oddball模式事件相关电位研究.结果①在不同注意状态下,ADHD组靶刺激N2、P3潜伏期显著长于对照组(P＜0.05);波幅差异无显著意义.②两组儿童随注意程度的增加P3波幅也显著升高,但ADHD组Fz点波幅变化不显著.③两次测试的波幅增幅比较,两组儿童间差异无显著意义.④ADHD组的计数成绩显著低于对照组.结论 ADHD儿童存在一定的认知功能损害.

关键词：轻微脑损伤综合征、事件相关电位

所属期刊栏目：18

分类号：R338.6(人体生理学)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：109-111