晶界扩散磁体性能及热场环境下磁畴演变规律的研究

摘要：

采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理,平行于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了 8.83 kOe,达到22.74 kOe,垂直于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了 8.86 kOe,达到22.77kOe.通过对磁体的不同位置的Hcj进行分析,在距表层500～750 μm处获得最大Hcj为26.77 kOe.对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析,发现在表层有较高的O富集,进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构,磁体性能和热稳定性产生了影响,得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素.

关键词：晶界扩散、NdFeB、Tb4O7、磁畴

所属期刊栏目：41

分类号：TM273(电工材料)

资助基金：国家重点研发计划;宁波市重大科技攻关暨揭榜挂帅项目

在线出版日期：2023-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：736-741