衬底温度对射频溅射CeO2薄膜微观结构的影响

摘要：

为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO2靶能得到相同结构、相同性能的CeO2薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO2薄膜,通过调控基体温度,分析其对薄膜成分、结构、形貌的影响规律,分别采用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜对薄膜结构性能进行表征.结果表明:在沉积温度为600℃下,溅射金属Ce靶制备的CeO2薄膜取向度最高,表面光滑平整,表面平均粗糙度只有1.03 nm,通过改变沉积温度能够很好地控制薄膜表面颗粒形貌.

关键词：CeO2薄膜、射频反应磁控溅射、缓冲层、表面形貌

所属期刊栏目：39

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：内蒙古自治区自然科学基金;内蒙古高等学校青年科技英才计划;内蒙古自治区科技重大专项

在线出版日期：2021-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：587-593