退火对Ce:YVO4晶体光谱性能影响

摘要：

采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇( Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0％(原子分数).对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理.对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量.中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高.发射光谱中400 -600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处.并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析.

关键词：Ce:YVO4、退火、荧光光谱、白光、发光效率、稀土

所属期刊栏目：29

分类号：O734+.3(晶体物理)

资助基金：天津自然科学基金资助项目09JCYBJC04100

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：582-588