直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素

摘要：

以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征.采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响.确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%.此时的抛光速率为61.1 nm·min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148nm.

关键词：纳米CeO2粉体、化学机械抛光、材料去除速率、硅晶片、稀土

所属期刊栏目：28

分类号：O614.33;O614.41(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金20161004;江西省主要学科学术带头人计划2007DD00800;省自然科学基金0620046

在线出版日期：2010-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：316-321