10.3321/j.issn:1000-4343.2008.06.005
氯化镧单晶的坩埚下降法生长
报道了LaCl3单晶的非真空密闭条件下的坩埚下降法生长方法.依据差热,热重分析所揭示的LaCl3·7H2O脱水过程,采用干燥氯化氢保护下的焙烧脱水处理制备出无水LaCl3原料.将无水LaCl3密封于铂坩埚中,且添加少量活性碳粉,可避免熔体的氧化与挥发,从而实现在非真空条件下的LaCl3单晶生长.在单晶生长过程中,炉体控制温度为940~970℃,固液界面温度梯度为30~40℃·cm-1,坩埚下降速率控制于0.5~1.0 mm·h-1,在非真空密闭条件下成功生长出直径为25 mm的透明LaCl3单晶.综合运用差热/热重分析、X射线衍射、透射光谱、X射线激发发射光谱对所获单晶样品进行了测试表征,表明非真空密闭坩埚下降法适合于生长均匀透明LaCl3单晶.
LaCl3、闪烁晶体、脱水处理、晶体生长、坩埚下降法、稀土
26
O782;O782+.9(晶体生长)
浙江省科技攻关项目2005C31029
2009-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
694-699