沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器

摘要：

在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.

关键词：共沉淀法、半导体陶瓷电容器、施主掺杂、稀土

所属期刊栏目：24

分类号：TG111.91;TG172.5(金属学与热处理)

在线出版日期：2007-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：96-101