反应溅射法在立方织构镍基底上制备CeO2缓冲层

摘要：

采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了 CeO2缓冲层.以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化.在基片温度为650 ℃,气压为26 Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向.X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表明,CeO2薄膜有良好的立方织构,其Φ扫描半高宽(FWHM)为9.0°.扫描电镜观察表明,薄膜致密且没有裂纹.

关键词：CeO2缓冲层、反应溅射、立方织构、Ni基底、稀土

所属期刊栏目：24

分类号：TM26(电工材料)

资助基金：科技部科研项目2006CB601005;国家科技攻关项目2002AA306211,2004AA306130

在线出版日期：2006-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：188-191