锗酸镉中镨的长余辉发光特性

摘要：

通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料. 测其结构为一单相. 分析了Cd2Ge7O16, Cd2Ge7O16:Pr3+的激发光谱和发射光谱, 指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生, 基质的发光是Cd2Ge7O16中有陷阱能级, 电子从导带跃迁到陷阱能级而产生, Pr3+的发光是该离子的4f-4f跃迁产生的;并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱, 电子陷阱和空穴陷阱分别能储存电子和空穴, 从而产生余辉. 并提出余辉机理模型.

关键词：发光学、Cd2Ge7O16∶Pr3+、长余辉、电子陷阱、空穴陷阱、稀土

所属期刊栏目：22

分类号：O482.31;O614.33(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金59982003,20171018;广东省自然科学基金36706,013201

在线出版日期：2004-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：280-283