10.3321/j.issn:1000-4343.2003.03.026
Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.
无机非金属材料、Nd∶GdVO4单晶、化学浸蚀、位错、晶体形貌、稀土
21
O782.5(晶体生长)
北京市教委科研项目OOKJ-037
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
355-358