10.3321/j.issn:1000-4343.2003.01.008
Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应
采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3 基片上的单取向薄膜样品, 分别研究了这些样品的磁电阻效应.研究表明, 在多晶样品中, x=0.3时具有最大的磁电阻比, 其值在240 K和1 T磁场下可达24.2%.对于同一成分的外延薄膜, 发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降, 当Ts=500 ℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%, 随着外加磁场增大到5 T, 磁电阻将线性增大到275%.并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因.
凝聚态物理、磁电阻效应、脉冲激光沉淀、钙钛矿型锰氧化物、稀土
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TQ028.21(一般性问题)
国家重点基础研究发展计划973计划G1999064508;国家自然科学基金198903104
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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