10.3321/j.issn:1000-4343.2002.06.007
掺稀土半导体光电特性和应用
结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究, 简述目前国际上在这方面研究的新进展. 重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果.
稀土元素、GaN、硅基材料、发光
20
O614.33;TN304.2;TN304.1;O482.31(无机化学)
国家自然科学基金60176025,69976028
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
521-525