10.3321/j.issn:1000-4343.2002.01.015
铒偏析与沉淀对掺铒硅1.54 μm光发射的影响
用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜, 研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对1.54 μm光发射的影响. RBS分析表明, Er的掺杂浓度可达~10%(原子分数), 即Er原子体浓度为1×1021 cm-3. XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现, Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关. Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的1.54 μm光发射.
稀土、离子注入、掺铒硅、偏析、光致发光
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O432.1;O532.26(光学)
国家自然科学基金69766001;国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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