Study on Surface Morphology of GaN Growth by MOCVD on GaN/Si(111) Template
surface morphology、thermal expansion coefficient、growth temperature、thermal stability、high temperature、surface areas
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TN3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;2002CB311903;国家自然科学基金60136020;Key Innovation Program of Chinese Academy of Science2002AA305304;国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304
2008-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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