Effect of Ion Dose on Growth of Relaxed SiGe Layer on Ion Implantation Si Substrate
Si Substrate、chemical vapor deposition、Si substrate、atomic force microscopy、high dose、ultra high
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TG175;TB383(金属学与热处理)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA3Z1230
2005-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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