10.3969/j.issn.1673-9957.2022.23.025
Nb掺杂对ZrCoSb基Half-Heusler化合物热电性能的影响
该文采用电弧熔炼结合放电等离子烧结的方法制备了Nb掺杂的ZrCoSb基Half-Heusler化合物Zr1-xNbxCoSb(x=0~0.12).X射线衍射分析表明,所有Nb掺杂样品均得到了单相,点阵参数随Nb的增加而逐渐降低.在323 K到973 K温度范围内研究了样品的热电性能,结果表明所有样品均为n型半导体,Nb的掺入使材料的功率因子提高,热导率降低,ZT随着Nb掺杂量的增加逐渐增大.样品Zr0.88Nb0.12CoSb在973 K取得ZT最大值0.53.
Half-Heusler化合物、ZrCoSb、Nb掺杂、热电性能
TM241(电工材料)
国家自然科学基金
2023-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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