GaN-LED倒装芯片的金属保护层设计与研究

摘要：

金属Ag的反射率和迁移对GaN-LED倒装芯片的性能有重要的影响,为了提升芯片制程中的漏电良率,优化芯片结构中容易发生金属Ag迁移的结构,该研究设计了不同金属保护层结构,通过对比结构形貌、芯片漏电良率、芯片亮度和封装亮度,发现双层夹层的金属保护层结构更稳定,致密性更佳,可以有效阻挡金属Ag的迁移,减少PN结的导电通道,降低漏电的风险.将不同金属保护层结构分别应用到3 000 μm×3 000 μm的GaN发光二极管倒装工艺中,双层夹层的金属保护层漏电良率提升2.6％,同时因形成了全方向反射镜,增加了光萃取率,亮度提升4.5％,器件的过载能力比较强.

关键词：倒装芯片、反光镜、保护层

分类号：TN364(半导体技术)

在线出版日期：2023-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：73-75