高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计

摘要：

该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长.模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,阈值电流变小,弛豫振荡频率和阻尼因子增大;腔长缩短为1/2λ,弛豫振荡频率增大,同时由于传输因子变小,阻尼因子不会限制调制响应带宽;在1/2λ腔中Al0.90Ga0.10As掺杂,可以使微分电阻变小.优化后的单氧化层VCSEL最大电光转换效率为42.3％,调制响应-3 dB带宽为25 GHz.

关键词：垂直腔面发射激光器、分布布拉格反射镜、量子阱、谐振腔

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33