离子注入机专利技术

摘要：

离子注入机的基本原理是入射离子与半导体(靶)的原子核和电子不断发生碰撞,其方向改变,能量减少,经过一段曲折路径的运动后,因动能耗尽而停止在某处从而改变该处的电学特性以及实现掺杂.该文根据离子注入机各部分的不同作用,将离子体注入机分解为六个技术分支,具体包括离子源、离子筛选系统、加速结构(加速或减速)、束流系统(包括扫描、聚焦等调整注入前束流种类或参数的其他结构)、靶室、控制系统等,根据离子注入机领域产业的发展现状、多个关键技术领域的专利状况,分析了该领域的专利申请量和核心,同时对该领域未来发展趋势进行了预测.

关键词：离子注入机;核心专利;发展趋势

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2021-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：133-135