10.3969/j.issn.1673-9957.2021.08.013
原位生长技术在制备CDC/SiC陶瓷基材料中的应用
原位生长技术具有成本低、易操作且适合工业上批量化生产等优点,采用原位生长法成功地在SiC陶瓷表面制备CDC/SiC复合材料.采用激光共聚焦显微镜、高温摩擦磨损试验机、显微硬度仪以及划痕仪等检测手段研究了陶瓷表层属性与CDC/SiC复合材料性能的内在联系.数据显示,CDC/SiC复合材料的摩擦系数及表面粗糙度随SiC陶瓷基体表面粗糙程度的降低而减小,表面光滑平整,平均摩擦系数为0.136,明显提高了SiC陶瓷基体的耐磨性;CDC/SiC复合材料显微硬度约为348.6 HV,明显低于SiC陶瓷的硬度.利用原位生长技术制备CDC涂层有望成为改善SiC陶瓷表面性能的有效途径.
原位生长技术、陶瓷基复合材料、制备工艺
O614(无机化学)
2021-07-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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