10.3969/j.issn.1673-9957.2020.12.014
离子注入结深的参数影响分析
该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电路离子注入工艺的过程,然后分别改变离子注入的工艺参数,分析离子注入工艺参数对结深结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化.
工艺、器件、仿真
TN305(半导体技术)
南京信息职业技术学院开放基金支持《高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究,设计》,项目编号KF20160101
2020-09-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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