离子注入结深的参数影响分析

摘要：

该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电路离子注入工艺的过程,然后分别改变离子注入的工艺参数,分析离子注入工艺参数对结深结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化.

关键词：工艺、器件、仿真

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：南京信息职业技术学院开放基金支持《高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究，设计》,项目编号KF20160101

在线出版日期：2020-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：30-31