10.3969/j.issn.1673-9957.2019.04.016
一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法
为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案.该文就一种重掺磷衬底类型硅外延层生长方法进行了分析.
重掺、过渡层、硅外延层
TN304(半导体技术)
2019-04-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
28-29
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10.3969/j.issn.1673-9957.2019.04.016
重掺、过渡层、硅外延层
TN304(半导体技术)
2019-04-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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