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10.3969/j.issn.1673-9957.2019.04.016

一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法

引用
为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案.该文就一种重掺磷衬底类型硅外延层生长方法进行了分析.

重掺、过渡层、硅外延层

TN304(半导体技术)

2019-04-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

28-29

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