一种低漏电电源钳位电路的设计与研究

摘要：

本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情况.采用中芯国际65nm(1.0V)的工艺进行仿真实验的验证,Hspice仿真结果表明,所提出的新型电路在正常上电条件下,MOS电容的泄漏电流仅为9.98nA,而传统MOS电容漏电达3.61μA.

关键词：低漏电、静电保护、电源钳位电流、MOS电容

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：140-142