非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学性能研究

摘要：

非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速，而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）更是凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a-IGZO TFT与非晶硅TFT（a-Si∶H）在载流子迁移率、亚阈值摆幅等电学特性方面产生较大差异的原因，并且探究了a-IGZO TFT的沟道宽度对其电学性能的影响。

关键词：a-IGZOTFT、电学特性、沟道宽度

分类号：TN321(半导体技术)

在线出版日期：2016-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：13-13,14